Impact of Sacrificial Cosumption of Substrate By Thermal Oxidation on Electron Mobility of 4H-SiC MOSFETs
Impact of Sacrificial Cosumption of Substrate By Thermal Oxidation on Electron Mobility of 4H-SiC MOSFETs
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热氧化牺牲衬底消耗对 4H-SiC MOSFET 电子迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Koji Kita and Hirohisa Hirai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
貞方 敦雄;田口 大;間中 孝彰;岩本 光正;Koji Kita and Hirohisa Hirai
