Heavily Doped n++ GaN Cap Layer AlN/GaN Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor
Heavily Doped n++ GaN Cap Layer AlN/GaN Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor
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重掺杂 n GaN 盖层 AlN/GaN 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
DOI：
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发表时间：
2021
影响因子：
0.5
通讯作者：
Karami K.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Karami K.
