Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted ß -Ga2O3
Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted ß -Ga2O3
复制标题
掩埋氮注入 -Ga2O3 中陷阱态的表征
DOI：
10.1063/5.0031480
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
Mishra A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mishra A
