P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications

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DOI：
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发表时间：
2014-05
期刊：
IEICE technical report. Electron devices
影响因子：
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通讯作者：
Sun Zheng;O. Marc;N. Tsutomu;Honda Yoshio;Amano Hiroshi
Sun Zheng;O. Marc;N. Tsutomu;Honda Yoshio;Amano Hiroshi
中科院分区：
其他
文献类型：
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作者：
Sun Zheng;O. Marc;N. Tsutomu;Honda Yoshio;Amano Hiroshi

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