Observation of initial growth process of Ge on straine-Si(001) using high-resolution 1285
Observation of initial growth process of Ge on straine-Si(001) using high-resolution 1285
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第1285章 高分辨率观察Ge在应变Si(001)上的初始生长过程
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.;Nishikoori;K.;Nakajima;M.;Suzuki;K.;Kimura
