1200V 4H-SiC trench MOSFET with superior figure of merit and suppressed quasi-saturation effect
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DOI：
10.1016/j.microrel.2021.114249
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发表时间：
2021-08
影响因子：
1.6
通讯作者：
Haochun Fu;Zhaoxiang Wei;Siyang Liu;Jiaxing Wei;Hang Xu;Lihua Ni;Zhuo Yang;Weifeng Sun
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Haochun Fu;Zhaoxiang Wei;Siyang Liu;Jiaxing Wei;Hang Xu;Lihua Ni;Zhuo Yang;Weifeng Sun
