Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer
Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer
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具有硅酸钡界面层的 4H-SiC NMOSFET 的伽马射线辐照诱导迁移率增强
DOI：
10.7567/1347-4065/ab2dab
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发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kosuke Muraoka;Hiroshi Sezaki;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Takahiro Makino;Akinori Takeyama;Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
