Write error rates of in-plane spin-transfer-torque random access memory calculated from rare-event enhanced micromagnetic simulations
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通过罕见事件增强微磁模拟计算出面内自旋转移矩随机存取存储器的写入错误率
DOI：
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发表时间：
2018
影响因子：
2.7
通讯作者：
S. Banerjee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Pramanik;Urmimala Roy;Priyamvada Jadaun;L. F. Register;S. Banerjee
