Maskless selective growth of semi-polar (112 2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy
Maskless selective growth of semi-polar (112 2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.064
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发表时间：
2009-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Yang;H. Ahn;T. Tanikawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Yang;H. Ahn;T. Tanikawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
