Improved Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Thin Films (≦50 nm) on Insulator by a-Si Capping
Improved Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Thin Films (≦50 nm) on Insulator by a-Si Capping
复制标题
通过a-Si 覆盖改善绝缘体上掺锡Ge 薄膜（≤50 nm）的固相结晶
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Sadoh
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Nagano;R. Hara;K. Moto;K. Yamamoto;and T. Sadoh
