(111)面InP基板上のInGaAs/InAlAs単一量子井戸の成長
(111)面InP基板上のInGaAs/InAlAs単一量子井戸の成長
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(111)面InP衬底上InGaAs/InAlAs单量子阱的生长
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷口つばさ
中科院分区：
文献类型：
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作者：
河村裕一;谷口つばさ
