A MOSFET with Si-implanted gate-SiO2 structure for analog-storage EEPROM applications
A MOSFET with Si-implanted gate-SiO2 structure for analog-storage EEPROM applications
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用于模拟存储 EEPROM 应用的具有硅注入栅极-SiO2 结构的 MOSFET
DOI：
10.1016/0038-1101(94)90227-5
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发表时间：
1994
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ohzone;T. Hori
