Degrdation behavior of release layers for nanoimprint lithography formed on atomically flat Si(111) terraces
Degrdation behavior of release layers for nanoimprint lithography formed on atomically flat Si(111) terraces
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在原子级平坦的 Si(111) 平台上形成的纳米压印光刻释放层的退化行为
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Kuwabara;他
