Rectifying the Current-Voltage Characteristics of a LiNbO3 Film/GaN Heterojunction
Rectifying the Current-Voltage Characteristics of a LiNbO3 Film/GaN Heterojunction
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校正 LiNbO3 薄膜/GaN 异质结的电流-电压特性
DOI：
10.1088/0256-307x/28/10/107703
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发表时间：
2011
影响因子：
3.5
通讯作者：
Li Yan-Rong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hao Lan-Zhong;Liu Yun-Jie;Zhu Jun;Lei Hua-Wei;Liu Ying-Ying;Tang Zheng-Yu;Zhang Ying;Zhang Wan-Li;Li Yan-Rong
外延 LiNbO3 (LNO) 薄膜生长在 n 型 GaN 半导体衬底上，形成 LNO/GaN p-n 结。研究了结的电流-电压（I—V）和电容-电压（CV）特性。 I—V曲线显示出明显的整流支柱
Epitaxial LiNbO3 (LNO) films are grown on n-type GaN semiconductor substrates, forming LNO/GaN p-n junctions. The current-voltage (I—V) and capacitance-voltage (C—V) characteristics of the junctions are studied. The I—V curve shows a clear rectifying prop