K.Yoshino, W.Futako, Y.Wasai and I.Shimizu: "Wide-gap a-Si:H faricated by controlling voids" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.47. 235-240 (1996)
K.Yoshino, W.Futako, Y.Wasai and I.Shimizu: "Wide-gap a-Si:H faricated by controlling voids" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.47. 235-240 (1996)
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K.Yoshino、W.Futako、Y.Wasai 和 I.Shimizu：“通过控制空洞实现宽间隙 a-Si:H”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.47。
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