"Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density"
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“通过使用低位错密度的独立式衬底减少 OVPE-GaN 中的位错”
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masashi Isemura and Yusuke Mori,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
1.Masami Aihara;Shigeyoshi Usami;Masayuki Imanishi;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura;Masahiko Hata;Masashi Isemura and Yusuke Mori,
