近接場過渡レンズ法によるInGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクスの評価
近接場過渡レンズ法によるInGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクスの評価
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使用近场瞬态透镜方法评估 InGaN 单量子阱中的载流子动力学
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川上養一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
塚本真大;石井良太;船戸充;川上養一
