Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors
Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors
复制标题
氮面 AlN 基极化场效应晶体管的演示
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tomas Palacios
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hironori Okumura;Jori Lemettinen;Sami Suihkonen;Tomas Palacios
