Y.Okada他2名: "Low dislocation density GaAs on Si heteroepitaxy with atomic hydrogen irradiation for optoelectronic integration" Journal of Applied Physics. 73. 7376-7384 (1993)
Y.Okada他2名: "Low dislocation density GaAs on Si heteroepitaxy with atomic hydrogen irradiation for optoelectronic integration" Journal of Applied Physics. 73. 7376-7384 (1993)
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Y. Okada 和其他 2 人：“用于光电集成的原子氢辐照硅异质外延的低位错密度 GaAs”应用物理学杂志 73. 7376-7384 (1993)。
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