Use of ferroelectric gate insulator for thin film transistors with ITO channel
Use of ferroelectric gate insulator for thin film transistors with ITO channel
复制标题
铁电栅绝缘体在ITO沟道薄膜晶体管中的应用
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Miyasako
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E.Tokumitsu;M.Senoo;T.Miyasako
