Ab Initio Electronic Structure Study for TTFTCNQ under Hydrostatic Pressure
Ab Initio Electronic Structure Study for TTFTCNQ under Hydrostatic Pressure
复制标题
静水压下 TTFTCNQ 的从头算电子结构研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Terakura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ishibashi;K. Terakura
稀磁半导体基纳米复合材料的磁场传感性能
影响因子：
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作者：
A. Perrone;A. I. Savchuk;H. D. Rosa;I. Stolyarchuk;V. V. Makoviy;M. M. Smolinsky;O. Savchuk
通讯作者：
O. Savchuk