A CMOS 4 ch*1 k time memory LSI with 1 ns resolution
A CMOS 4 ch*1 k time memory LSI with 1 ns resolution
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分辨率为 1 ns 的 CMOS 4 ch*1 k 时间存储器LSI
DOI：
10.1109/cicc.1991.164077
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Endo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Arai;T. Matsumura;K. Endo
已经开发出一种四通道 1024-b 时间数字转换器芯片，它以 1 ns 的间隔记录存储单元的输入信号。该芯片采用 0.8μm CMOS 技术在 5mm x 5.6mm 芯片上制造。在典型工作条件下，每个通道的功耗仅为 7 mW。测试表明整体线性度和稳定性都非常好。<<ETX>>
A four-channel 1024-b time-to-digital converter chip which records input signals to memory cells at 1-ns intervals, has been developed. The chip was fabricated using 0.8- mu m CMOS technology on a 5-mm by 5.6-mm die. It dissipates only 7 mW/channel under typical operating conditions. Tests show that overall linearity and stability are very good.<<ETX>>