Evaluation of write error rate for voltage-induced dynamic switching in perpendicularly magnetized magnetic tunnel junctions
Evaluation of write error rate for voltage-induced dynamic switching in perpendicularly magnetized magnetic tunnel junctions
复制标题
垂直磁化磁隧道结中电压感应动态开关写入错误率的评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Suzuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Shiota;T. Nozaki;S. Tamaru;K. Yakushiji;H. Kubota;A. Fukushima;S. Yuasa;Y. Suzuki
