Superconducting Ga-overdoped Ge layers capped with SiO2: Structural and transport investigations
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DOI：
10.1103/physrevb.85.134530
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发表时间：
2012-04
影响因子：
3.7
通讯作者：
J. Fiedler;V. Heera;R. Skrotzki;T. Herrmannsdörfer;M. Voelskow;A. Mücklich;S. Facsko;H. Reuther;M. Perego;K. Heinig;B. Schmidt;W. Skorupa;G. Gobsch;M. Helm
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Fiedler;V. Heera;R. Skrotzki;T. Herrmannsdörfer;M. Voelskow;A. Mücklich;S. Facsko;H. Reuther;M. Perego;K. Heinig;B. Schmidt;W. Skorupa;G. Gobsch;M. Helm
