A Dynamical Power-Management Demonstration Using Four-Terminal Separated-Gate FinFETs
A Dynamical Power-Management Demonstration Using Four-Terminal Separated-Gate FinFETs
复制标题
使用四端子分离栅极 FinFET 的动态电源管理演示
DOI：
10.1109/led.2007.895451
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发表时间：
2006
影响因子：
4.9
通讯作者：
E. Suzuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Endo;Y. Ishikawa;Y. Liu;T. Matsukawa;S. O'Uchi;K. Ishii;M. Masahara;J. Tsukada;H. Yamauchi;T. Sekigawa;H. Koike;E. Suzuki
动态功率可控的CMOS反相器已经成功地证明了使用分离栅四端（4T）FinFET。pMOS和nMOS FinFET的阈值电压可以通过向控制栅极施加偏置电压来灵活地控制。我们证明了第一次，CMOS反相器的功耗可以动态控制使用由4T-FinFET提供的可变阈值电压。这些结果有力地表明了使用4T-FinFET的功率管理CMOS电路的优势
Dynamically power-controllable CMOS inverters have been successfully demonstrated using separated-gate four-terminal (4T) FinFETs. The threshold voltages of the both pMOS and nMOS FinFETs can be flexibly controlled by applying a bias voltage to the control-gate. We demonstrate for the first time that the power consumption of the CMOS inverter can be dynamically controlled using the variable threshold voltage provided by the 4T-FinFET. These results strongly suggest the advantage of the power-managed CMOS circuits using 4T-FinFETs