Mechanism of thermal oxidation of 3C-SiC grown on Si

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Si上生长的3C-SiC的热氧化机理

DOI:
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发表时间:
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期刊:
半导体学报
影响因子:
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通讯作者:
Wang, Lei
Wang, Lei
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
Liu, Xingfang;Luo, Muchang;Li, Jinmin;Sun, Guosheng;Zhao, Wanshun;Li, Jiaye;Zhao, Yongmei;Wang, Lei

文献摘要

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