Ge-Cu-Te films for phase change random access memory
Ge-Cu-Te films for phase change random access memory
复制标题
用于相变随机存取存储器的Ge-Cu-Te薄膜
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小池淳一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
須藤祐司;齊藤雄太;鎌田俊哉;隅谷真志;小池淳一
