Heavily carbon-doped p-type GaAsSb grown by gas source molecular beam epitaxy
Heavily carbon-doped p-type GaAsSb grown by gas source molecular beam epitaxy
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气源分子束外延生长重碳p型GaAsSb
DOI：
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发表时间：
2007-10
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Zhu, Fuying
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Qi, Ming;Xu, Anhuai;Ai, Likun;Sun, Hao;Zhu, Fuying
