Semiconductor device, and production method therefor
Semiconductor device, and production method therefor
复制标题
半导体装置及其制造方法
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
奥山幸祐
中科院分区：
文献类型：
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作者：
谷口泰弘;川嶋泰彦;葛西秀男;樱井良多郎;品川裕;奥山幸祐
提供了一种半导体器件（1），其中提供接触（C5 a）以从具有与存储器栅极结构（4a）相同配置的接触安装结构（10a）的顶部延伸到第一选择栅电极（G2 a）。因此，不形成安装存储器栅极结构（110）的顶部的传统安装部分（102 b）（图13），因此可以缩短到上层布线层的距离，可以减小纵横比，结果可以抑制接触电阻值的增加。另外，由于不形成用于安装存储器栅极结构（110）的顶部的现有的安装部（102 b），因此能够使接触安装结构（10a）与上层布线层分离，其结果是，能够抑制与上层布线层的接触不良。还提供了一种用于所述半导体器件的制造方法。
Provided is a semiconductor device (1) in which a contact (C5a) is provided so as to extend to a first selection gate electrode (G2a) from the top of a contact installation structure (10a) having the same configuration as a memory gate structure (4a). Accordingly, a conventional mounting section (102b) mounting the top of the memory gate structure (110) is not formed (fig. 13), and thus the distance to an upper-layer wiring layer can be shortened, the aspect ratio can be reduced, and, as a result, an increase in the contact resistance value can be inhibited. Furthermore, the conventional mounting section (102b) mounting the top of the memory gate structure (110) is not formed, and thus the contact installation structure (10a) and the upper-layer wiring layer can be kept apart, and, as a result, contact failure with the upper-layer wiring layer can be inhibited. Also provided is a production method for said semiconductor device.