阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究

阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究
复制标题

DOI：
10.11972/j.issn.1001-9014.2022.01.028
复制
发表时间：
2022
期刊：
红外与毫米波学报
影响因子：
--
通讯作者：
邵军
邵军
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
马楠;窦程;王嫚;朱亮清;陈熙仁;刘锋;邵军

文献摘要

相似文献

采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence, PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well, SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化,发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%。进一步分析结果表明,发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用。这一工作有望为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。