Estimation of single event transient voltage pulses in VLST circuits from heavy-ion-induced transients measured in a single MOSFET
Estimation of single event transient voltage pulses in VLST circuits from heavy-ion-induced transients measured in a single MOSFET
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根据在单个 MOSFET 中测量的重离子感应瞬态来估计 VLST 电路中的单事件瞬态电压脉冲
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.Kobayashi et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松本 光崇;木村 峻;中野 裕文;岩男 剛宜;奥野 義弘;有本 和民;泉 知論;藤野 毅;知念 幸勇;出川直通;D.Kobayashi et al.
