Scalable Pentacene-based Pseudo-CMOS Inverter Realized by Threshold Voltage Control utilizing Nitrogen-doped LaB6 Interfacial Layer
Scalable Pentacene-based Pseudo-CMOS Inverter Realized by Threshold Voltage Control utilizing Nitrogen-doped LaB6 Interfacial Layer
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利用氮掺杂 LaB6 界面层通过阈值电压控制实现可扩展的并五苯基伪 CMOS 逆变器
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shun-ichiro Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yasutaka Maeda;Mizuha Hiroki;Yuki Komatsu;Shun-ichiro Ohmi
