III族窒化物およびIII-V族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥
III族窒化物およびIII-V族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥
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III族氮化物和III-V族化合物半导体中等离子体辐射引起的缺陷
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
奥村次徳,中村成志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Takeuchi;D. Minamikawa;Y. Kuwano;M. Watanabe; M. Iwaya;S. Kamiyama;I. Akasaki;奥村次徳,中村成志
