TEM Observation of 8 deg off-axis 4H-SiC (0001) Surfaces Planarized by Catalyst-Referred Etching
TEM Observation of 8 deg off-axis 4H-SiC (0001) Surfaces Planarized by Catalyst-Referred Etching
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通过催化剂参考蚀刻平坦化 8 度离轴 4H-SiC (0001) 表面的 TEM 观察
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.489
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山内和人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
定國峻;Ngo Xuan Dai;佐野泰久;有馬健太;八木圭太;村田順二;岡本武志;橘一真;山内和人
