100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits
100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits
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适用于低噪声模拟/射频电路的 100nm 栅极长度常关累积模式 FD-SOI MOSFET
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hidetoshi Utsumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Makoto Shirakawa;Haruko Ueda;Atsushi J. Nagano;Tomoo Shimada;Takayuki Kohchi;and Ikuko Hara-Nishimura;Hidetoshi Utsumi
