MBE法による希薄磁性半導体GaAs:Gdの作製
MBE法による希薄磁性半導体GaAs:Gdの作製
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MBE法制备稀磁半导体GaAs:Gd
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
ら
中科院分区：
文献类型：
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作者：
樋口 修平、白岡 裕之、谷理 博、宮川 勇人、小柴 俊、高橋 尚志;ら
