SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Int
SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Int
复制标题
SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用，Int
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshiyuki Suda;Hiroaki Hanafusa;Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
