AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討
AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討
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AlN基氮化物半导体晶圆键合技术研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
上向井 正裕
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋 一矢;篠田 涼二;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;服部 友一;赤崎 勇;片山 竜二;上向井 正裕
