Advantage of GaN substrates in InAlGaN quaternary ultraviolet-light-emitting diodes
Advantage of GaN substrates in InAlGaN quaternary ultraviolet-light-emitting diodes
复制标题
GaN衬底在InAlGaN四元紫外发光二极管中的优势
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Akita
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Hirayama;K.Akita
