Highly doped Si and Ge formed by GILD (gas immersion laser doping); from GILD to superconducting silicon
Highly doped Si and Ge formed by GILD (gas immersion laser doping); from GILD to superconducting silicon
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通过GILD（气浸激光掺杂）形成高掺杂的Si和Ge；
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Boulmer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Cammilleri;F. Fossard;D. Débarre;C. T. Manh;C. Dubois;É. Bustarret;C. Marcenat;P. Achatz;D. Bouchier;J. Boulmer
