High rate and high yield silicon epitaxy by plasma spray CVD under mesoplasma condition
High rate and high yield silicon epitaxy by plasma spray CVD under mesoplasma condition
复制标题
介质条件下等离子喷涂CVD高速率、高产率硅外延
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Kambara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Akiyama;S. Atsumi;M. Kambara;M. Kambara
