M.Kariya,S.Nitta,M.Kosaki,Y.Yukawa,S.Yamaguchi,H.Amano,I.Akasaki: "Effect on GaN/A1__<0.17>Ga__<0.83>N and A1__<0.05>Ga__<0.95>N/A1__<0.17>Ga__<0.83>N quantum wells by isoelectronic In-doping during metalorganic vapor phase epitaxy"Japanese Journal of App
M.Kariya,S.Nitta,M.Kosaki,Y.Yukawa,S.Yamaguchi,H.Amano,I.Akasaki: "Effect on GaN/A1__<0.17>Ga__<0.83>N and A1__<0.05>Ga__<0.95>N/A1__<0.17>Ga__<0.83>N quantum wells by isoelectronic In-doping during metalorganic vapor phase epitaxy"Japanese Journal of App
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M.Kariya、S.Nitta、M.Kosaki、Y.Yukawa、S.Yamaguchi、H.Amano、I.Akasaki：“对 GaN/A1__<0.17>Ga__<0.83>N 和 A1__<0.05>Ga__<0.95 的影响
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