SiCにおけるバンドギャップ変化の微視的メカニズムの解明 : 内包空間を浮遊する特異な電子状態の発見
SiCにおけるバンドギャップ変化の微視的メカニズムの解明 : 内包空間を浮遊する特異な電子状態の発見
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阐明SiC带隙变化的微观机制：发现漂浮在内部空间的独特电子态
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
押山 淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松下 雄一郎;押山 淳
