Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source
Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source
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利用再生源制造 InGaAs 纳米片晶体管
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Miyamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kanazawa;K. Ohsawa;T. Amemiya;N. Kise;R. Aonuma;Y. Miyamoto
