Performance enhancement of BF2+ implanted poly-Si junctionless transistors by boron segregation and fluorine effect
Performance enhancement of BF2+ implanted poly-Si junctionless transistors by boron segregation and fluorine effect
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通过硼偏析和氟效应增强BF2注入多晶硅无结晶体管的性能
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Min-Ju Ahn;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;and Toshiro Hiramoto
