Y.S.Chang, S.Naritsuka and T.Nishinaga: "Epitaxial Lateral Overgrowth of wide dislocation-free GaAs on Si substrate" Proceeding of 192nd Electrochemical Society Meeting, Paris, Frace, August 31-September5. (1997)
Y.S.Chang, S.Naritsuka and T.Nishinaga: "Epitaxial Lateral Overgrowth of wide dislocation-free GaAs on Si substrate" Proceeding of 192nd Electrochemical Society Meeting, Paris, Frace, August 31-September5. (1997)
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Y.S.Chang、S.Naritsuka 和 T.Nishinaga：“硅衬底上宽位错 GaAs 的外延横向过度生长”第 192 届电化学学会会议记录，法国巴黎，8 月 31 日至 9 月 5 日。
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