Effects of high-temperature diluted-H2 annealing on effective mobility of SiC MOSFETs estimated by split capacitance-voltage technique
Effects of high-temperature diluted-H2 annealing on effective mobility of SiC MOSFETs estimated by split capacitance-voltage technique
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通过分离电容-电压技术估计高温稀释 H2 退火对 SiC MOSFET 有效迁移率的影响
DOI：
10.7567/jjap.56.111302
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发表时间：
2017
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hirohisa Hirai and Koji Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Koji Kita;Hirohisa Hirai;and Kei Ishinoda;Hirohisa Hirai and Koji Kita
