Effects of TID on transistor parameters of dc-dc converters
Effects of TID on transistor parameters of dc-dc converters
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TID 对 DC-DC 转换器晶体管参数的影响
DOI：
10.1109/radecs.2007.5205497
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. D. Kankam
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Attia;D. Zhang;E. Issa;M. D. Kankam
使用IRF250功率MOSFET构建的降压和降压-升压转换器的输出电压随着总剂量的增加而增加至20 Krad（Si）。MOSFET的导通时间被发现与总剂量增加。发现功率MOSFET的导通时间增加会导致转换器的输出电压增加。
The output voltages of Buck and Buck-Boost converters, built using IRF250 power MOSFETs, increased with total dose up to 20 Krads(Si). The MOSFET turn-on time was found to increase with total dose. The increased turn-on time of the power MOSFET was found to cause the output voltage of the converters to increase.