D.Das: "Narrow BandーGap aーSi:H with Improved Minority CarrierーTransport Prepared by Chemical annealing" Japanese Journal of Applied Physics. 30・2B. 364 (1991)
D.Das: "Narrow BandーGap aーSi:H with Improved Minority CarrierーTransport Prepared by Chemical annealing" Japanese Journal of Applied Physics. 30・2B. 364 (1991)
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D.Das：“通过化学退火制备的具有改进的少数载流子传输的窄带隙 a-Si:H”，日本应用物理学杂志 30・2B 364 (1991)。
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