Interface-Selective Low-Temperature Wet-O2 Annealing to Enhance 4H-SiC(0001) MOSFET Mobility by Improving Near Interface SiO2 Quality
Interface-Selective Low-Temperature Wet-O2 Annealing to Enhance 4H-SiC(0001) MOSFET Mobility by Improving Near Interface SiO2 Quality
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界面选择性低温湿式 O2 退火通过提高近界面 SiO2 质量来增强 4H-SiC(0001) MOSFET 迁移率
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kita Koji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hirai Hirohisa;Ishinoda Kei;Kita Koji
